特許
J-GLOBAL ID：200903001710863735
混晶化二酸化チタン、多層膜構造体、及び素子構造
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-046540
公開番号（公開出願番号）：特開2005-231979
出願日： 2004年02月23日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】コバルトドープ二酸化チタン膜の格子定数が近接し、互いのエピタキシャル成長を阻害しない半導体層又は絶縁層として機能する新規な化合物を提供する。【解決手段】二酸化チタンに対して、二酸化ハフニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化ゲルマニウム及び二酸化スズから選ばれる少なくとも一種の混晶物質を混晶化して、混晶化二酸化チタンを形成する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
二酸化チタンに対して、二酸化ハフニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化ゲルマニウム及び二酸化スズから選ばれる少なくとも一種の混晶物質を混晶化したことを特徴とする、混晶化二酸化チタン。
IPC (9件)：
C01G25/00
, C01G27/00
, H01F10/16
, H01F10/193
, H01F41/30
, H01L27/105
, H01L29/78
, H01L29/82
, H01L43/08
C01G25/00
, C01G27/00
, H01F10/16
, H01F10/193
, H01F41/30
, H01L29/82 Z
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
, H01L29/78 301B
, H01L29/78 301J
4G048AA03
, 4G048AB01
, 4G048AC04
, 4G048AD02
, 4G048AE05
, 5E049AB10
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049BA25
, 5E049CB01
, 5E049DB04
, 5E049GC08
, 5F083FZ10
, 5F140AA00
, 5F140BA12
, 5F140BD11
, 5F140BE10
, 5F140BF05
, 5F140BJ01
, 5F140BJ05
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
