半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：大岩増雄 , 児玉俊英 , 竹中岑生 , 村上啓吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-016084
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165697
出願日： 2004年01月23日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】高耐圧半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】第1導電型の半導体基板1の1主面上に形成され、上記半導体基板との接触面を有する金属配線9と、上記接触面の下の上記半導体基板内部に形成される第2導電型の高濃度の不純物領域11と、上記半導体基板の1主面に形成され、上記不純物領域11を介して上記金属配線9に電気的に接続される低濃度の不純物領域からなるソース又はドレイン領域6c、6dを有する第2導電型のMOSFET13とを備え、上記高濃度の不純物領域11の深さが上記ソース又はドレイン領域6c、6dの深さより浅い構成とする。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の1主面上に形成され、上記半導体基板との接触面を有する金属配線と、上記接触面の下の上記半導体基板内部に形成される第2導電型の高濃度の不純物領域と、上記半導体基板の1主面に形成され、上記不純物領域を介して上記金属配線に電気的に接続される低濃度の不純物領域からなるソース又はドレイン領域を有する第2導電型のMOSFETとを備え、上記高濃度の不純物領域の深さが上記ソース又はドレイン領域の深さより浅いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/28

FI (2件)：

H01L29/78 301S , H01L21/28 A

Fターム (37件)：

4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104DD06 , 4M104DD26 , 4M104DD91 , 4M104FF21 , 4M104GG09 , 5F140AA12 , 5F140AA24 , 5F140AA25 , 5F140BA01 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH13 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BH17 , 5F140BH19 , 5F140BH40 , 5F140BH49 , 5F140BJ26 , 5F140BK02 , 5F140BK03 , 5F140BK10 , 5F140BK13 , 5F140BK17 , 5F140BK25 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CB02 , 5F140CC03 , 5F140CD02

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭50-127581
特開昭52-115665
特開昭62-012124

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