特許
J-GLOBAL ID：200903079792907467

デュアルタイプ薄膜電界効果トランジスタおよび応用例

発明者：
トマス・ドデラー

トマス・ドデラー について

, 
ウェイ・ホワン

ウェイ・ホワン について

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チャン・シー・ツエイ

チャン・シー・ツエイ について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139494
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320058
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】 単一デバイスがn型伝導とp型伝導の両方を実行する、方法および構造を提供すること。【解決手段】 超小型電子デバイスは、入力電圧を受け取るように適合されたゲート層を含む。絶縁層はゲート層上に形成され、導電チャネル層は絶縁層上に形成され、ソースとドレインの間で電流を搬送する。導電チャネル層はデュアル・チャネルを提供するように適合される。デュアル・チャネルはpチャネルとnチャネルの両方を含み、pチャネルとnチャネルの一方が入力電圧の極性に応答して選択的に使用可能になる。このデバイスおよび応用例を形成するための方法も開示し、請求する。
請求項（抜粋）：
入力電圧を受け取るように適合されたゲート層と、前記ゲート層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された、ソースとドレインの間で電流を搬送するための導電チャネル層とを含み、前記導電チャネル層がデュアル・チャネルを提供するように適合され、前記デュアル・チャネルがpチャネルとnチャネルの両方を含み、前記pチャネルと前記nチャネルの一方が前記入力電圧に応答して選択的に使用可能になる、超小型電子デバイス。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/764
FI (6件)：
H01L 29/78 622 ,  H01L 21/76 A ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B
Fターム (28件)：
5F032AC02 ,  5F032BA01 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA16 ,  5F032DA12 ,  5F032DA33 ,  5F032DA74 ,  5F110AA30 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB13 ,  5F110BB20 ,  5F110CC07 ,  5F110EE01 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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