特許

J-GLOBAL ID：200903079813614627

誘電体薄膜キャパシタ素子及びその製造方法

発明者： 喜多 隆介 ,  増田 義行 ,  松 良幸 ,  荒井 尚子 ,  大谷 昇 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-325704
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167826
出願日： 1995年12月14日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、十分に高い誘電率を示し、リーク電流が小さく、リーク電流の温度依存性が小さい、高信頼性の誘電体薄膜キャパシタ素子を実現する。【解決手段】 基体上に少なくとも下部電極4と誘電体薄膜5と上部電極6とが順次積層された誘電体薄膜キャパシタ素子において、誘電体薄膜5をペロブスカイト構造を有するフッ素含有酸化物から構成する。

請求項（抜粋）：

基体上に少なくとも下部電極と誘電体薄膜と上部電極とが順次積層された誘電体薄膜キャパシタ素子において、前記誘電体薄膜がペロブスカイト構造を有するフッ素含有酸化物から成ることを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ素子。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-291307
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-181761   出願人：富士通株式会社
• 特開昭61-242953