特許
J-GLOBAL ID:200903079819254622
強誘電体キャパシタ用セラミック電極
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-295670
公開番号(公開出願番号):特開平9-139476
出願日: 1995年11月14日
公開日(公表日): 1997年05月27日
要約:
【要約】【課題】 強誘電体の組成ずれと、これによる誘電体特性の劣化を抑止し、特性の良好な強誘電体キャパシタを形成すものである。【解決手段】 強誘電体キャパシタの導電性セラミック電極からなる上部電極層、下部電極層の少なくとも一方の電極層において、電極層とキャパシタの強誘電体との間に、強誘電体に含まれる元素と導電性セラミック電極に含まれる元素とを少なくともそれぞれ1元素ずつ含んでなる良導電性のパイロクロア型構造の化合物からなる層が配置形成された強誘電体キャパシタのセラミック電極を構成する。
請求項(抜粋):
強誘電体キャパシタの導電性セラミック電極からなる上部電極層、下部電極層の少なくとも一方の電極層において、該電極層との上記キャパシタの強誘電体との間に、上記強誘電体に含まれる元素と上記導電性セラミックに含まれる元素とを少なくともそれぞれ1元素ずつ含んでなる良導電性のパイロクロア型構造の化合物からなる層が配置形成されたことを特徴とする強誘電体キャパシタ用セラミック電極。
IPC (3件):
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/105
FI (3件):
H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 441
, H01L 27/10 651
引用特許:
前のページに戻る