特許

J-GLOBAL ID：200903079874771555

酸化物超電導導体とその製造方法および酸化物超電導導体用ベース基材

発明者： 柿本 一臣 ,  保原 夏朗 ,  和泉 輝郎 ,  塩原 融 ,  中村 雄一 ,  大松 一也 ,  藤野 剛三
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ ,  東京電力株式会社 ,  財団法人鉄道総合技術研究所 ,  住友電気工業株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108610
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299026
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、基材上に厚膜状の酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。本発明の製造方法は、基材上に厚膜状の酸化物超電導層を気相法に比べて格段に大きな成膜レートで形成することができる方法の提供を目的とする。本発明の製造方法は、融液により基材を損傷させないようにして酸化物超電導素材層を形成できる方法の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、高融点金属からなる基材1と、この基材1上の少なくとも1面に形成された1層以上の酸化物中間層2、3と、前記酸化物中間層2、3を備えた前記基材1を酸化物超電導層構成元素を含む融液7に浸漬して引き上げる液相エピタキシー法により前記酸化物中間層2、3上に形成された厚膜状の酸化物超電導層5とを具備してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

高融点金属からなる基材と、この基材上の少なくとも1面に形成された1層以上の酸化物中間層と、前記酸化物中間層を備えた前記基材を酸化物超電導層構成元素を含む融液に浸漬して引き上げる液相エピタキシー法により前記酸化物中間層上に形成された厚膜状の酸化物超電導層とを具備してなることを特徴とする酸化物超電導導体。

IPC (2件)：

H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (2件)：

H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D

Fターム (7件)：

5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA18 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321DB28