半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-400568
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203958
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】金属原子を含んだ絶縁破壊耐性の高いゲート絶縁膜構造を持つ半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板1に、チャネル領域4を挟んで対向するドレイン、ソース拡散層3が形成され、ゲート絶縁膜5を介してゲート電極6が形成される。ゲート絶縁膜5は、チャネル領域4の直上の部分が誘電率の高い金属酸化物からなる第1のゲート絶縁膜5aにより形成され、それ以外の部分は金属原子濃度が低い第2のゲート絶縁膜5bにより形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板にチャネル領域を挟んで対向するように形成されたソース及びドレイン拡散層と、前記半導体基板上に、チャネル長方向に所定の濃度変化を示す金属原子を含んで形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。

Fターム (14件)：

5F040DA19 , 5F040DC01 , 5F040DC10 , 5F040EC07 , 5F040ED03 , 5F040ED06 , 5F040ED07 , 5F040ED09 , 5F040EF02 , 5F040EK05 , 5F040FA01 , 5F040FB05 , 5F040FC00 , 5F040FC10

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭58-084462
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-000190 出願人：富士通株式会社
特公昭49-011035

全件表示

前のページに戻る