特許
J-GLOBAL ID：200903079876303257

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
土井 浩志

土井 浩志 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136001
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306633
出願日： 1995年05月10日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 誘電体容器を充分加熱できる簡易な構成を提供したり、処理終了後における誘電体容器への薄膜堆積を防止できる構成を提供したりして、プラズマ処理の品質の向上に寄与する。【構成】 誘電体容器3内にプラズマを形成し、このプラズマを利用して基板20の表面に所定の処理を施す。内部に蒸発物が存在する誘電体容器3の外面に温風を当てて少なくとも摂氏150度以上に加熱する温風加熱機構7を備え、誘電体容器3の内面は有機物の薄膜が堆積しない温度とされる。温風加熱機構7は、誘電体容器3内に所定の電力を導入するアンテナ41の動作を阻害しないよう設けられる。プラズマ処理が終了した後、次のプラズマ処理が行われるまでの間にも、この加熱が行われる。
請求項（抜粋）：
誘電体容器内にプラズマを形成し、このプラズマを利用して基板の表面に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、誘電体容器内に有機物の蒸発物が存在するプラズマ処理装置において、誘電体容器の外面に温風を当てて誘電体容器の内面に前記有機物の薄膜が堆積しない温度に誘電体を加熱する温風加熱機構を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H05H 1/46
FI (6件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/304 341 D ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM