半導体記憶装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-005310
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196594
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

【課題】相変化メモリ素子を備える半導体記憶装置の集積密度を上げる。【解決手段】相変化メモリセルは、直列に接続された相変化メモリ素子21〜23とダイオードとから構成される。隣接する2つの相変化メモリセルは、共通の活性領域48内に順次に形成されたn型半導体層8及びp型半導体層9とで形成されたダイオードを有し、且つ、双方のビット線コンタクトプラグは、n型半導体層の下層に配置される高濃度n型半導体層7に接続された、サイドウオール膜26を有する共通のビット線コンタクトプラグ27bで構成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、相互に平行に延びる複数のビット線と、該ビット線と交差し且つ相互に平行に延びる複数の選択線と、前記ビット線と前記選択線との各交差部分にそれぞれ配設される複数の相変化型のメモリセルとを備え、前記メモリセルが、対応するビット線と対応する選択線との間に接続される半導体記憶装置において、前記メモリセルと前記ビット線とを接続するビット線コンタクトプラグが、隣接する2つのメモリセルで共用されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 45/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 481 , H01L45/00 A

Fターム (16件)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083LA21 , 5F083MA04 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR40 , 5F083PR41

引用特許：

出願人引用 (2件)

USP6,531、373号
電気的消去可能型相転移メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006940 出願人：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド

審査官引用 (1件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-145305 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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