特許
J-GLOBAL ID：200903079897568323

検査・解析方法および試料作製装置

発明者：
志知 広康

志知 広康 について

, 
富松 聡

富松 聡 について

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福田 宗行

福田 宗行 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-169049
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345360
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】本願の第1の目的は、基板を評価のために無駄に廃棄せず、かつ検査のための試料を取り出したウェーハをプロセスに戻しても不良を発生させない新たな検査・解析方法や電子部品製造方法を提供することにありす。【解決手段】本発明は、基板上で第一のイオンビームが照射された領域を少なくとも含んだ領域に第二のイオンビームを照射し、第一のイオンビーム元素種が含まれた試料表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする基板の検査・解析方法とする。【効果】本願によると、半導体デバイス等の歩留向上のために、途中の検査がウェーハを割断することなく実施でき、かつ、その際にも、イオンビームを構成していた元素種を含む汚染や、デポ膜を構成する元素種を含む汚染を少なくすることが実現できる。
請求項（抜粋）：
基板上で複数の元素を含む第一のイオンビームで第1の領域を照射し、前記第一のイオンビームで照射後前記第1の領域を含む第2の領域を前記第一イオンビームの複数元素とは異なる元素から成る第二のイオンビームを照射し、第一のイオンビーム元素種が含まれた試料表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする基板の検査・解析方法。
IPC (8件)：
H01L 21/66 ,  B23K 15/00 508 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  G01N 1/34 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/30 ,  B23K101:40
FI (9件)：
H01L 21/66 N ,  B23K 15/00 508 ,  G01N 1/32 B ,  G01N 1/34 ,  H01J 37/20 Z ,  H01J 37/30 Z ,  B23K101:40 ,  G01N 1/28 G ,  G01N 1/28 F
Fターム (19件)：
4E066BA13 ,  4E066BE01 ,  4E066CA15 ,  4M106AA01 ,  4M106BA03 ,  4M106BA05 ,  4M106CA51 ,  4M106CA70 ,  4M106DH24 ,  4M106DH32 ,  4M106DH33 ,  4M106DH57 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ38 ,  5C001AA01 ,  5C001CC01 ,  5C001CC07 ,  5C034AA01 ,  5C034AA02
引用特許：
審査官引用 (2件)

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