薄膜トランジスタとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-134400
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008435
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】従来に比してその表面を平坦化した薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。【構成】半導体基板11上に形成されたSiO2膜からなる層間絶縁膜12に埋め込むように、ポリシリコン膜からなるゲート電極13が形成し、かつそのゲート電極13の上面と層間絶縁膜12の表面とは実質的に同一平面となるように配置する。そのゲート電極13上にSiO2膜からなるゲート絶縁膜14を形成し、さらに、そのゲート絶縁膜14上にポリシリコン膜からなる半導体膜15を形成する。そして、その半導体膜15内にはイオン注入により、ソース領域16、ドレイン領域17及びチャネル領域18を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を被覆するように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を被覆するように形成され、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域を有する半導体膜とから成る薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極を前記層間絶縁膜に埋め込むように形成し、かつ前記ゲート電極の上面と前記層間絶縁膜の表面とが実質的に同一平面となるように配置したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (1件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-217574 出願人：日本電気株式会社

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