特許

J-GLOBAL ID：200903079927996082

微小立体構造物、その製造方法及びその製造装置

発明者： 松井 真二
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286337
公開番号（公開出願番号）：特開2001-107252
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：

【要約】【課題】 複雑な構造を有する微小立体構造物(μm乃至nmオーダーの外形)を作製することができる微小立体構造物、その製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】 微小立体構造物の製造方法において、試料1上に原料ガス3を供給しながら集束イオンビーム4を照射し、第1層の堆積物5を形成する工程と、この第1層の堆積物5にイオンが当たって二次電子6を放出し、この二次電子6により第1層の堆積物5上にテラス7を形成する工程と、前記テラス7の所望の方向に集束イオンビーム4を焦点位置制御装置からの設定量に基づいて振る工程と、その振られた量に基づいて、前記テラス7上の変位した位置に第2層の堆積物8を形成する工程と、順次上記工程を繰り返し、設定された微小立体構造物を形成する工程とを施す。

請求項（抜粋）：

微小立体構造物の製造方法において、(a)試料上に原料ガスを供給しながら集束イオンビームを照射し、堆積物を形成する工程と、(b)前記堆積物にイオンが当たって二次電子を放出し、該二次電子により前記堆積物上にテラスを形成する工程と、(c)前記テラスの所望の方向に集束イオンビームを焦点位置制御装置からの設定量に基づいて振る工程と、(d)該振られた量に基づいて、前記テラス上の変位した位置に上層の堆積物を形成する工程と、(e)順次上記(b)から(d)工程を繰り返し、設定された微小立体構造物を形成する工程とを施すことを特徴とする微小立体構造物の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/48 ,  B81C 1/00 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/52

FI (4件)：

C23C 16/48 ,  B81C 1/00 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/52

Fターム (20件)：

4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA07 ,  4K030BA12 ,  4K030BA14 ,  4K030BA20 ,  4K030BA28 ,  4K030BA29 ,  4K030BB11 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030FA12 ,  4K030JA01 ,  4K030KA23 ,  4K030KA49 ,  4K030LA11 ,  4K030LA22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• パターン形成方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-318213   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
• 特許第2967198号