特許

J-GLOBAL ID：200903079933628710

高性能な光電デバイス

発明者： 林烱▲い▼ ,  陳易良
出願人/特許権者： 大同股▲ふん▼有限公司 ,  大同大學
代理人 (3件)： 田中 秀佳 ,  城村 邦彦 ,  熊野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-266036
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283886
出願日： 2008年10月15日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】P型半導体基板とN型透明非結晶酸化物半導体層とを含む、光電デバイス用に採用されるダイオードを提供し、製作プロセスを簡単にするとともに、製造コストを低減する。【解決手段】光電デバイスが提供される。光電デバイスが、P型半導体基板と、P型半導体基板の一表面上に位置するN型透明非結晶酸化物半導体(TAOS)層と、P型半導体基板の他表面上にある後電極とを含む。N型TAOS層がP-Nダイオードの一部を構成するとともに、ウインドウ層および前電極として供される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ダイオードであり: P型半導体基板と; 前記P型半導体基板上に配置されるN型透明非結晶酸化物半導体(TAOS)層と を備えるダイオード。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 29/861 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L31/10 A ,  H01L29/91 F ,  H01L31/04 E

Fターム (24件)：

5F049MA03 ,  5F049MB01 ,  5F049MB02 ,  5F049NA18 ,  5F049PA03 ,  5F049PA07 ,  5F049SE02 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS02 ,  5F049WA03 ,  5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051AA09 ,  5F051AA20 ,  5F051BA14 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB15 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-219280   出願人：株式会社東北テクノアーチ

審査官引用 (1件)

• 表示装置および映像信号処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-129125   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

出願人引用 (5件)

• "Suppression of Current by Light in p-Si-n+-ZnO-Pd Diode Structures"
• "Optimizing n-ZnO/p-Si heterojunctions for photodiode applications"
• "Dynamic and Static Photo-Responses of n-ZnO/p-Si Photodiodes"
• "Ultraviolet and visible photoresponse properties of n-ZnO/p-Si heterojunction"
• "Growth of c-axis oriented ZnO thin films with high deposition rate on silicon by CVD method"

審査官引用 (1件)

• "Suppression of Current by Light in p-Si-n+-ZnO-Pd Diode Structures"