特許

J-GLOBAL ID：200903079942572620

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 黒田 謙一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156947
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023041
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 高集積化されしかも高特性の不揮発性メモリを備えている半導体集積回路装置と、それを容易に得ることができる製造技術を提供する。【構成】 半導体基板1の上に設けられている不揮発性メモリを構成しているMISFETと、前記半導体基板1の他の領域の上に設けられているMISFETとを有し、前記MISFETにおけるソースおよびドレインとなるn型の半導体領域14,15,16,19およびp型の半導体領域17,20の表面の一部にシリサイド層21が設けられている半導体集積回路装置とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に設けられている不揮発性メモリを構成している第1のMISFETと、前記半導体基板の他の領域の上に設けられている第2のMISFETとを有する半導体集積回路装置であって、前記第1のMISFETにおけるソースの表面の一部およびドレインの表面の一部と、前記第2のMISFETにおけるソースの表面の一部およびドレインの表面の一部とに、シリサイド層が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-025758   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-275668
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-299281   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-275668