特許
J-GLOBAL ID：200903079949897347
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-040576
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230339
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 ランドメタル部とパッケージ基板との間の強度を維持すつつ半田ボールとランドメタル部と実装強度の強化を図った半導体装置を提供すること。【解決手段】 回路基板1に絶縁層を介して配設された配線層2と、この配線層2に形成されたランドメタル部3と、このランドメタル部3の周囲および回路基板1の全体を覆うようにして積層されたソルダレジスト4と、このソルダレジスト4によって区画されるランドメタル部3上に装備される半田ボール5とを備えたBGA構造の半導体装置において、ランドメタル部3の半田ボール当接面に、一方の端から他方の端に連通する凹溝(又は凸条部)7を設けたこと。
請求項（抜粋）：
回路基板と、この回路基板に絶縁層を介して配設された配線層と、この配線層の一部に形成されたランドメタル部と、このランドメタル部の中央部を除いて当該ランドメタル部の周囲および前記回路基板の全体を覆うようにして積層されたソルダレジストと、このソルダレジストに囲まれた状態に区画されたランドメタル部の中央部に配設される半田ボールとを備えたBGA構造の半導体装置において、前記ランドメタル部の半田ボール当接面に、一方の端から他方の端に連通する凹溝を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
, H05K 3/34 501
H01L 21/60 311 S
, H05K 3/34 501 D
, H01L 23/12 L
5E319AA03
, 5E319AC11
, 5E319BB04
, 5F044QQ01
, 5F044QQ02
