特許
J-GLOBAL ID：200903079960646437
スパッタリングターゲットおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187592
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011610
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：
【要約】【課題】 比抵抗が純Cuと比べて遜色なく、耐エレクトロマイグレーション性が高く、かつ半導体装置等のウエハ内配線部の形成に用いられるスパッタ膜の欠陥が少なく、生産効率を向上させることができるスパッタターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 Cuに、Ce、Dy、Er、La、Pr、Sc、Sr、Tb、Yの群から選択した1種類以上の元素を、総計で0.02〜10at%添加した耐エレクトロマイグレーション特性に優れたCu合金配線形成用スパッタリングターゲットおよびCe、Dy、Er、La、Pr、Sc、Sr、Tb、Yの群から選択した1種類以上の元素の添加に際し、水素化物として添加する同Cu合金配線形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
請求項（抜粋）：
Cuに、Ce、Dy、Er、La、Pr、Sc、Sr、Tb、Yの群から選択した1種類以上の元素を、総計で0.02〜10at%添加したことを特徴とする耐エレクトロマイグレーション特性に優れたCu合金配線形成用スパッタリングターゲット。
Fターム (5件)：
4K029BD02
, 4K029CA05
, 4K029DC04
, 4K029DC08
, 4K029DC09
