特許
J-GLOBAL ID：200903031464123359
スパッタリングターゲットおよび銅配線膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345394
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176769
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】配線膜の流動性が良好であり、緻密で密着性が良好な配線膜を形成できるスパッタリングターゲットおよび銅配線膜を提供することを目的とする。【解決手段】酸素含有量が10ppm 以下であり、硫黄含有量が1ppm 以下であり、鉄含有量が1ppm 以下であり、純度が99.999%以上の高純度銅基材から成ることを特徴とする。またはTi,Zr,V,Cr,Nb,Ta,Y,LaおよびScから選択される少なくとも1種の元素を0.5〜250ppm 含有する銅基材から成ることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
酸素含有量が10ppm 以下であり、硫黄含有量が1ppm 以下であり、鉄含有量が1ppm 以下であり、純度が99.999%以上の高純度銅基材から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, C22C 9/00
, C23C 14/34
H01L 21/285 S
, C22C 9/00
, C23C 14/34 A
