半導体製造方法及び半導体製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097831
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294550
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板とSiN膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のSiN膜を形成することのできる半導体の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】処理ガス雰囲気下で、ケイ素を主成分とするウエハWに、複数のスリットを有する平面アンテナ部材RLSA60を介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて前記ウエハW表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して酸化膜相当換算膜厚で1nm以下の絶縁膜2を形成する。

請求項（抜粋）：

処理ガス雰囲気下で、ケイ素を主成分とする被処理基体に、複数のスリットを有する平面アンテナ部材を介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて前記被処理基体表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して酸化膜相当換算膜厚で1nm以下の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , C30B 29/40 502 , H01L 21/31 , H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/316 A , C30B 29/40 502 H , H01L 21/31 C , H01L 21/318 C , H01L 21/318 A , H01L 29/78 301 G

Fターム (55件)：

4G077AA03 , 4G077BB03 , 4G077BE14 , 4G077BE19 , 4G077DB09 , 4G077DB19 , 5F040DC01 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040FC00 , 5F045AA06 , 5F045AA09 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045AF12 , 5F045BB09 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DC51 , 5F045DP03 , 5F045DQ17 , 5F045EB08 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EH04 , 5F045EM05 , 5F045EN04 , 5F045HA25 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF04 , 5F058BF08 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BG01 , 5F058BG04 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-191628 出願人：ソニー株式会社

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