特許

J-GLOBAL ID：200903043842520513

半導体装置の製法

発明者： 佐野 直樹 ,  原 昌輝 ,  関谷 光信 ,  鮫島 俊之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-191628
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055858
出願日： 1994年08月15日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜、半導体の改質をはかって安定して目的とする半導体装置を得ることができるようする。【構成】 半導体装置の製法において、20°C〜400°C、分圧1Torr以上飽和蒸気圧以下の水(H2 O)の気体を含む雰囲気中で15秒以上20時間以下の加熱工程を経て、上記半導体または絶縁膜の少なくとも一方の改質を行う。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製法において、20°C〜400°C、分圧1Torr以上飽和蒸気圧以下の水の気体を含む雰囲気中で15秒以上20時間以下の加熱工程を経て、上記半導体または絶縁膜の少なくとも一方の改質を行うことを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (4件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜状半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-176193   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭63-133673
  
• 太陽電池モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-243391   出願人：三井東圧化学株式会社
• 特開昭54-121675