キャパシタ絶縁膜の作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村欣一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233289
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050624
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 ECRスパッタ装置を用いて、半導体メモリ素子などの高速化、微細化に寄与する高い誘電特性を有するキャパシタ絶縁膜を作製する方法の提供。【解決手段】ターゲット原料として、BST[(Ba,Sr)TiO系組成物]、STO[SrTiO系組成物]、又はPZT[Pb(Zr,Ti)O系組成物]を用い、また、スパッタガスとして、Kr若しくはXeの少なくとも一種の不活性ガスとO2との混合ガス、又はKr若しくはXeの少なくとも一種の不活性ガスとO2とを主成分とする混合ガスを用いてBST、STO、又はPZT膜を電極膜上にECRスパッタ成膜する。この際、混合ガス中のO2の分圧を全ガス圧の1〜10%とする。得られたキャパシタ絶縁膜は、誘電率が高く、リーク電流及び誘電損失の増加が抑制されているので、誘電特性の向上した絶縁膜として有用である。

請求項（抜粋）：

キャパシタ絶縁膜の作製方法において、ECRスパッタ装置を利用し、ターゲット原料として、BST[(Ba,Sr)TiO系組成物]、STO[SrTiO系組成物]、又はPZT[Pb(Zr,Ti)O系組成物]を用い、また、スパッタガスとして、Kr若しくはXeの少なくとも一種の不活性ガスとO2との混合ガス、又はKr若しくはXeの少なくとも一種の不活性ガスとO2とを主成分とする混合ガスを用いて、BST、STO、又はPZTの薄膜を被処理基板の電極膜上にスパッタ成膜し、キャパシタ絶縁膜を得ることを特徴とするキャパシタ絶縁膜の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 21/316 , H01G 4/33 , H01G 4/12 400 , H01G 13/00 391 , H01L 21/203 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/105

FI (7件)：

H01L 21/316 Y , H01G 4/12 400 , H01G 13/00 391 C , H01L 21/203 S , H01G 4/06 102 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 444 C

Fターム (47件)：

5E001AB06 , 5E001AC04 , 5E001AC10 , 5E001AE01 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AH03 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5E082AB03 , 5E082BB10 , 5E082BC30 , 5E082BC40 , 5E082EE05 , 5E082EE18 , 5E082EE23 , 5E082EE37 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG27 , 5E082FG42 , 5E082KK01 , 5E082LL02 , 5E082MM09 , 5E082PP07 , 5F038AC02 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF12 , 5F058BF14 , 5F058BJ02 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F103AA08 , 5F103DD27 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103LL07 , 5F103NN05 , 5F103RR05

引用特許：

出願人引用 (1件)

強誘電体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-279514 出願人：富士ゼロックス株式会社

審査官引用 (1件)

強誘電体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-279514 出願人：富士ゼロックス株式会社

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