特許
J-GLOBAL ID：200903029021737490
強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-279514
公開番号（公開出願番号）：特開平10-120494
出願日： 1996年10月22日
公開日（公表日）： 1998年05月12日
要約：
【要約】【課題】 単結晶半導体基板上に高品質のエピタキシャルまたは高配向のエピタキシャル薄膜を形成する。【解決手段】 本発明の第1の特徴は、スパッタリング装置内にMgO薄膜形成用のターゲットおよび ABO3型ペロブスカイト強誘電体薄膜形成用の複数のターゲットを用意する工程と、前記スパッタリング装置内で、単結晶半導体基板1上に、スパッタリング法によりバッファ層としてのMgO薄膜2を形成するバッファ層形成工程と、スパッタリング装置を開くことなく連続してスパッタリング法により、 前記バッファ層上にABO3型ペロブスカイト強誘電体薄膜3を形成する強誘電体薄膜形成工程とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
スパッタリング装置内に MgO薄膜形成用のターゲットおよびABO3型ペロブスカイト強誘電体薄膜 (A:IA族、IIA族、IIIA族 、IVB族およびVB族から選択される元素、B:IVA族およびVA族から選択される元素)形成用の 複数のターゲットを用意する工程と、前記スパッタリング装置内で、半導体単結晶基板上に、スパッタリング法によりバッファ層としてのMgO薄膜を形成するバッファ層形成工程と、スパッタリング装置を開くことなく連続して、スパッタリング法により、前記バッファ層上に ABO3型ペロブスカイト強誘電体薄膜を形成する強誘電体薄膜形成工程とを含むことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (12件)：
C30B 29/22
, C30B 23/08
, H01B 3/12 301
, H01L 21/203
, H01L 21/316
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 37/02
, H01L 41/08
, H01L 41/18
, H01S 3/18
C30B 29/22 Z
, C30B 23/08 P
, H01B 3/12 301
, H01L 21/203 S
, H01L 21/316 Y
, H01L 27/10 451
, H01L 37/02
, H01S 3/18
, H01L 27/10 651
, H01L 41/08 D
, H01L 41/18 101 Z
