特許

J-GLOBAL ID：200903079978383565

電界効果トランジスタ

発明者： 藍郷 崇 ,  大谷 昇 ,  矢代 弘克 ,  藤本 辰雄 ,  勝野 正和
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-067570
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270620
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、デバイスに対する積層欠陥の影響を回避した炭化珪素(SiC)電界効果トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 SiC単結晶基板上に形成してなるトランジスタであって、該トランジスタのゲート電極を前記基板内に存在する積層欠陥の方向に対して、時計周りあるいは反時計周りに45°以上135°以下の方向に配置してなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶基板上に形成してなるトランジスタであって、該トランジスタのゲート電極を前記基板内に存在する積層欠陥の方向に対して、時計周りあるいは反時計周りに45°以上135°以下の方向に配置してなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/78 301 Q

Fターム (18件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19 ,  5F140AA29 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB15 ,  5F140BF41

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-127471   出願人：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-216930   出願人：株式会社日立製作所