特許

J-GLOBAL ID：200903079983633332

SiCヒータ

発明者： 村上 嘉彦 ,  生原 幸雄 ,  長妻 良枝
出願人/特許権者： 住友大阪セメント株式会社
代理人 (1件)： 土橋 皓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202560
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025751
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 要求される急速な昇降温が可能であり、正確な位置で接合でき、ヒータ断線の虞がなく、十分な表面精度を有し、ボンディング部分の接続不良がなく、コストパフォーマンスにも優れたSiCヒータを提供することを課題とする。【解決手段】 発熱体と、該発熱体に通電して発熱体を昇温させるための電極と、発熱体を降温させるための冷却孔と、発熱体からの熱を断熱するためのヒータベースとを備え、前記発熱体が炭化珪素から構成されておりかつ前記発熱体がその外縁部から内部に向かって伸びた表裏に貫通したスリットを有するように構成する。

請求項（抜粋）：

発熱体と、該発熱体に通電して発熱体を昇温させるための電極と、発熱体を降温させるための冷却孔と、発熱体からの熱を断熱するためのヒータベースとを備え、前記発熱体が炭化珪素から構成されておりかつ前記発熱体がその外縁部から内部に向かって伸びた表裏に貫通したスリットを有することを特徴とするSiCヒータ。

IPC (6件)：

H05B 3/14 ,  C04B 35/626 ,  H01L 21/60 311 ,  H05B 3/10 ,  H05B 3/12 ,  H05B 3/20 396

FI (6件)：

H05B 3/14 C ,  H01L 21/60 311 T ,  H05B 3/10 C ,  H05B 3/12 B ,  H05B 3/20 396 ,  C04B 35/56 101 P

Fターム (31件)：

3K034AA04 ,  3K034AA16 ,  3K034AA29 ,  3K034BC29 ,  3K034CA32 ,  3K034EA07 ,  3K034HA01 ,  3K034HA10 ,  3K034JA02 ,  3K092QA05 ,  3K092QB09 ,  3K092QB32 ,  3K092QB37 ,  3K092QB40 ,  3K092QC16 ,  3K092QC25 ,  3K092QC59 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092VV06 ,  3K092VV15 ,  3K092VV22 ,  3K092VV28 ,  3K092VV34 ,  4G001BA22 ,  4G001BB22 ,  4G001BC13 ,  4G001BD22 ,  4G001BE33 ,  5F044LL01 ,  5F044PP19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ボンディング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-163242   出願人：澁谷工業株式会社
• セラミック急速昇温発熱素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-114460   出願人：ティーディーケイ株式会社
• パルスヒーター及び半導体チップ実装ボードの製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-081320   出願人：住友大阪セメント株式会社
• 特開平3-138885