特許

J-GLOBAL ID：200903080009342353

マイクロ波半導体増幅器

発明者： 石丸 淳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086849
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274415
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 発振の発生を抑えたマイクロ波半導体増幅器を提供すること。【解決手段】 第1入力側整合回路11に接続する共通部分G11およびこの共通部分G11から分岐する分岐部分G12からなるゲートG1、ドレインD1、アースに接続されるソースS1を有する電界効果トランジスタ12を具備したマイクロ波半導体増幅器において、分割されたゲートG1の共通部分G11間に抵抗R1が接続され、かつ、入力側整合回路11のゲートG側に抵抗R1が接続された位置に合わせてスリットSL1が設けられている。

請求項（抜粋）：

入力側整合回路に接続する共通部分およびこの共通部分からくしの歯状に分岐する複数の分岐部分からなるゲート電極、増幅した信号を出力するドレイン電極、アースに接続されるソース電極を有する電界効果トランジスタを具備したマイクロ波半導体増幅器において、前記ゲート電極の分割された共通部分の隣接する同士間に抵抗が接続され、かつ、この抵抗が接続された位置に合わせて前記入力側整合回路のゲート電極側にスリットが設けられたマイクロ波半導体増幅器。

IPC (8件)：

H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/095 ,  H01P 5/19 ,  H03F 3/60 ,  H03F 3/68

FI (6件)：

H01P 5/19 B ,  H03F 3/60 ,  H03F 3/68 B ,  H01L 29/80 R ,  H01L 27/04 A ,  H01L 29/80 E

Fターム (49件)：

5F038AZ01 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA07 ,  5F102GA01 ,  5F102GA17 ,  5F102GA18 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GS09 ,  5J067AA04 ,  5J067AA21 ,  5J067AA41 ,  5J067CA54 ,  5J067CA71 ,  5J067FA16 ,  5J067FA20 ,  5J067HA09 ,  5J067HA25 ,  5J067KA29 ,  5J067KA48 ,  5J067KA68 ,  5J067KS03 ,  5J067LS12 ,  5J067MA08 ,  5J067MA19 ,  5J067MA22 ,  5J067QA03 ,  5J067QS04 ,  5J067TA01 ,  5J069AA04 ,  5J069AA21 ,  5J069AA41 ,  5J069CA54 ,  5J069CA71 ,  5J069FA16 ,  5J069FA20 ,  5J069HA09 ,  5J069HA25 ,  5J069KA29 ,  5J069KA48 ,  5J069KA68 ,  5J069KC06 ,  5J069KC07 ,  5J069MA19 ,  5J069MA22 ,  5J069QA03 ,  5J069TA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-265691   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-265691   出願人：富士通株式会社