特許

J-GLOBAL ID：200903080011554201

多層ナノラミネート構造を有する半導体装置の絶縁膜及びその形成方法

発明者： 安 宰永 ,  李 相忍 ,  ▲ヒュグ▼ 庸宇 ,  金 永錫 ,  姜 晩錫
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-118789
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047956
出願日： 2003年04月23日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】高温湿式ケミカル工程に対するエッチング特性を向上させて誘電率を減少させられる半導体装置の絶縁膜及びその形成方法を提供する。また、本発明は工程中BN薄膜からボロンのアウト・ディフュージョンを防止または最少化できるSiNx/BN薄膜が交代で積層された多層ナノラミネート構造の絶縁膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】本発明は半導体装置に用いられる新規の絶縁層及びその製造方法を開示する。本発明の絶縁膜は各々コントロールされて所望する厚さを有する、交代で積層されたボロンナイトライド薄膜220とシリコンナイトライド薄膜210とからなる多層ナノラミネート構造を有し、(a)シリコンナイトライド薄膜をウェーハ100上に蒸着する段階と;(b)シリコンナイトライド膜上にボロンナイトライド膜を形成する段階と;(c)段階(a)及び(b)を交代で繰り返して多層ナノラミネート薄膜200を形成する段階と;により形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの表面に沿って下側及び上側部分を備えた絶縁膜を備えたウェーハを含み、前記絶縁膜はシリコンナイトライド薄膜層及びボロンナイトライド薄膜層が交代で積層されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/318 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/452

FI (4件)：

H01L21/318 M ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 A ,  C23C16/452

Fターム (23件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA13 ,  4K030BA39 ,  4K030BA40 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030EA00 ,  4K030EA08 ,  4K030EA12 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD12 ,  5F058BF04 ,  5F058BF17 ,  5F058BF22 ,  5F058BF24 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-091939
  
• 特開昭61-026786
  
• 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-034413   出願人：三星電子株式会社