半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-349540
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116801
出願日： 2003年10月08日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】絶縁膜で覆われた銅層を半導体基板上に有する半導体ウエハをフルオロカーボン系ガスを用いたドライエッチングに供して絶縁膜を部分的に除去して銅層表面を露出させ、得られた半導体ウエハを大気へ暴露してから半導体ウエハを表面処理に供する場合であっても、銅層に対するコロージョンの発生を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】フルオロカーボン系ガスを用いたドライエッチングに供して絶縁膜(14)を部分的に除去して銅層(13)の表面を露出させた後、銅層(13)を窒素プラズマ処理に供する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

絶縁膜で覆われた銅層を半導体基板上に有する半導体ウエハをフルオロカーボン系ガスを用いたドライエッチングに供して前記絶縁膜を部分的に除去することにより前記銅層表面を少なくとも部分的に露出させ、前記表面が少なくとも部分的に露出した銅層を窒素プラズマ処理に供し、前記窒素プラズマ処理された銅層を有する前記半導体ウエハを大気へ暴露し、しかる後該半導体ウエハを表面処理に供することを包含する半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (1件)：

H01L21/90 A

Fターム (26件)：

5F033HH11 , 5F033JJ11 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ15 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ90 , 5F033QQ91 , 5F033QQ92 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS04 , 5F033TT02 , 5F033XX20

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6323121B1号明細書

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-018805 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-005793 出願人：ソニー株式会社

前のページに戻る