半導体受光装置及びその特性検査方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030137
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228531
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】端面入射型受光素子で構成される半導体受光装置において、劈開前にウェハ状態で回路特性が測定可能な半導体受光装置及びその特性検査方法を提供することにある。【解決手段】半導体受光層の上層或いはその周辺部に光入射用の窓を設けた端面入射型半導体受光素子で構成されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体受光層の上層或いはその周辺部に光入射用の窓を設けた端面入射型半導体受光素子で構成されたことを特徴とする半導体受光装置。

Fターム (10件)：

5F049MA20 , 5F049MB07 , 5F049NA18 , 5F049NA20 , 5F049PA14 , 5F049QA07 , 5F049QA08 , 5F049QA17 , 5F049SE09 , 5F049SS04

引用特許：

審査官引用 (7件)

全件表示

前のページに戻る