特許
J-GLOBAL ID：200903080031778157
コンデンサおよびそれを用いた半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212779
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066071
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体材料を使用して小面積で大きな容量がえられると共に温度変化の小さいコンデンサおよびそのコンデンサをメモリ用に私用する半導体素子を提供する。【構成】 強誘電体材料の平均結晶粒径を150nm以下に調製してセラミックコンデンサを形成する。またメモリ用の半導体素子のコンデンサとしては、平均結晶粒径を150nm以下にすると共に、誘電体膜の薄膜の厚さより小さくする。さらに、半導体素子の使用温度範囲よりキュリー温度が低くなるように結晶粒径または結晶格子の体積を調整することにより、強誘電体材料を常誘電相で使用することができ、書込み回数を多くしても疲労の少ないメモリ用半導体素子がえられる。
請求項（抜粋）：
強誘電体化合物または強誘電体化合物を主成分とする材料からなる誘電体層と、該誘電体層の両側に設けられた2つの電極と、前記誘電体層および2つの電極を被覆する絶縁被覆層と、前記2つの電極から該絶縁被覆層の外側にそれぞれ導出される2本のリード線とからなるコンデンサであって、前記化合物の多結晶体の平均結晶粒径が150nm以下に調製されてなるコンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 4/12 412
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
