特許

J-GLOBAL ID：200903080035714293

β-FeSi2薄膜の形成方法

発明者： 吉武 剛
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-349565
公開番号（公開出願番号）：特開2000-178713
出願日： 1998年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月27日
要約：

【要約】【課題】 安価に製造できるターゲット材を用い、低い基板温度で、アニール無しに、基板材料の種類を問わずにβ-FeSi2 単相の薄膜を成膜できる方法の開発。【構成】 溶融法または焼結法により製造したFeとSiの成分原子比が1:2の組成のFeSi2 合金をターゲット材料とし、基板温度を500°C以下として、紫外光領域の波長のレーザを用いてパルスレーザアブレーションにより基板上に堆積したままでβ相のFeSi2 薄膜を堆積する。

請求項（抜粋）：

溶融法または焼結法により製造したFeとSiの成分原子比が1:2の組成のFeSi2 合金をターゲット材料とし、基板温度を500°C以下として、紫外光領域の波長のレーザを用いてパルスレーザアブレーションにより基板上に堆積したままでβ相のFeSi2 薄膜を堆積することを特徴とするレーザアブレーション法によるβ-FeSi2 薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/28

FI (2件)：

C23C 14/06 E ,  C23C 14/28

Fターム (7件)：

4K029BA52 ,  4K029BC07 ,  4K029DB20 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC09 ,  4K029EA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-318982
  

引用文献：

審査官引用 (2件)

• レーザーアブレーション法によるβ-FeSi2薄膜作成の試み
• ベータ鉄シリサイド(β-FeSi2)-環境半導体