特許
J-GLOBAL ID：200903080035714293
β-FeSi2薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-349565
公開番号（公開出願番号）：特開2000-178713
出願日： 1998年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月27日
要約：
【要約】【課題】 安価に製造できるターゲット材を用い、低い基板温度で、アニール無しに、基板材料の種類を問わずにβ-FeSi2 単相の薄膜を成膜できる方法の開発。【構成】 溶融法または焼結法により製造したFeとSiの成分原子比が1:2の組成のFeSi2 合金をターゲット材料とし、基板温度を500°C以下として、紫外光領域の波長のレーザを用いてパルスレーザアブレーションにより基板上に堆積したままでβ相のFeSi2 薄膜を堆積する。
請求項（抜粋）：
溶融法または焼結法により製造したFeとSiの成分原子比が1:2の組成のFeSi2 合金をターゲット材料とし、基板温度を500°C以下として、紫外光領域の波長のレーザを用いてパルスレーザアブレーションにより基板上に堆積したままでβ相のFeSi2 薄膜を堆積することを特徴とするレーザアブレーション法によるβ-FeSi2 薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/06 E
, C23C 14/28
4K029BA52
, 4K029BC07
, 4K029DB20
, 4K029DC04
, 4K029DC08
, 4K029DC09
, 4K029EA08
