特許
J-GLOBAL ID：200903080051862022
薄膜堆積用分子線源セル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北條 和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-328367
公開番号（公開出願番号）：特開2004-162108
出願日： 2002年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】分子放出口を固体の成膜面に近づけても、成膜される薄膜の膜厚を均一にすることが出来、これにより成膜効率と膜厚の均一性との双方を向上させる。【解決手段】薄膜堆積用分子線源セルは、成膜材料aを加熱することにより、その成膜材料aを昇華または蒸発して、固体表面に薄膜を成長させるための分子を発生するものであって、薄膜の成膜面1に向けて薄膜を形成する材料の分子を放出する分子放出口4、4...を複数設けると共に、これら分子放出口4、4...を互いに斜め外向きに開口させたものである。具体的には、複数の分子放出口4、4...を薄膜の成膜面1に向いたセルヘッド7の中心の周りに配置する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
成膜材料(a)を加熱することにより、その成膜材料(a)を昇華または蒸発して、固体表面に薄膜を成長させるための分子を発生する真空蒸着用分子線源セルにおいて、薄膜の成膜面(1)に向けて薄膜を形成する材料の分子を放出する分子放出口(4)、(4)...を複数設けると共に、これら分子放出口(4)、(4)...を互いに斜め外向きに開口させたことを特徴とする薄膜堆積用分子線源セル。
IPC (3件)：
C23C14/24
, H05B33/10
, H05B33/14
C23C14/24 A
, H05B33/10
, H05B33/14 A
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4K029BD00
, 4K029DB12
