特許
J-GLOBAL ID:200903080065819200

光電変換素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-067312
公開番号(公開出願番号):特開2001-257369
出願日: 2000年03月10日
公開日(公表日): 2001年09月21日
要約:
【要約】【課題】 裏面金属電極層の反射率と、樹脂フィルムに対する裏面金属電極層の密着性とを向上させた光電変換素子を提供すること。【解決手段】 金属基板1の上に接着させた絶縁性樹脂フィルム2の上にTi系あるいはSi系層3を形成し、そのTi系あるいはSi系層3の上に裏面金属電極層4、下部透明導電膜層5、光電変換層6及び上部透明導電膜層7を形成した光電変換素子9。
請求項(抜粋):
樹脂フィルムあるいは樹脂フィルムが接着された金属基板上の樹脂フィルム上にTi系あるいはSi系層が形成されており、その上に裏面金属電極層、下部透明導電膜層、光電変換層、上部透明導電膜層が形成されていることを特徴とする光電変換素子。
Fターム (14件):
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA16 ,  5F051CB12 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051GA06 ,  5F051GA16
引用特許:
審査官引用 (4件)
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