特許
J-GLOBAL ID：200903080094320835
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101822
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330367
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 キャパシターの下部電極に形成されるHSG層の平均粒径を増加させより高いキャパシタンスを持つ半導体装置のキャパシター製造方法を提供する。【解決手段】 反応チャンバーを加熱する段階と、堆積されたポリシリコン膜からなるキャパシター電極を有する半導体基板を反応チャンバー内にローティングする段階と、反応チャンバーの内部温度が第1温度範囲内に安定化される時まで、反応チャンバー内に第1正の反応ガスを注入してキャパシター電極上にシリコン膜を形成する段階と、第2温度範囲内で半導体基板を加熱する段階と、内部温度が第1温度範囲に至る後、反応チャンバー内に第1正の反応ガスより多くの量の第2正の反応ガスを注入しキャパシター電極上に複数のHSG核26aを形成する段階と、半導体基板をアニーリングして複数のHSG核26aを成長してキャパシター電極上にHSG膜を形成する段階とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法において、反応チャンバーを加熱する段階と、堆積されたポリシリコン膜からなるキャパシター電極を持つ半導体基板を前記反応チャンバー内にローティングする段階と、前記反応チャンバーの内部温度が第1温度範囲内に安定化される時まで、前記反応チャンバー内に第1正の反応ガスを注入して前記キャパシター電極上にシリコン膜を形成する段階と、前記第2温度範囲内で、前記半導体基板を加熱する段階と、前記内部温度が前記第1温度範囲に至る後、前記反応チャンバー内に前記第1正の反応ガスより多くの量の第2正の反応ガスを注入して前記キャパシター電極上に複数のHSG核を形成する段階と、前記半導体基板をアニーリングして複数のHSG核を成長して前記キャパシター電極上にHSG膜を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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