特許

J-GLOBAL ID：200903080095969657

配線基板と半導体素子の接続方法、半導体基板の製造方法、半導体基板の補修方法及び電気光学装置の製造方法

発明者： 赤川 卓 ,  依田 剛
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-260570
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080182
出願日： 2004年09月08日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】 素子を破損、損傷させることなく、素子と配線基板との導通を確実に得ることができる配線基板と半導体素子の接続方法を提供する。【解決手段】 配線基板10上に半導体素子であるTFT13が実装されてなる配線基板10と半導体素子の接続方法であって、TFT13の外側に位置する配線基板10上の配線端子14と、TFT13の表面側の素子端子61の双方からNiめっきを成長させる成長工程と、Niめっき上に導電材としてAuめっきを析出させて積層させる積層工程とを含むことを特徴とする。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

配線基板上に半導体素子が実装されてなる配線基板と半導体素子の接続方法であって、 前記配線基板上の配線端子と、前記半導体素子の素子端子とに無電解めっきを成長させ、前記無電解めっき上に導電材を積層させることで前記半導体素子と前記配線基板の導通をとることを特徴とする配線基板と半導体素子の接続方法。

IPC (6件)：

H01L 21/60 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 51/50 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L21/60 321E ,  H01L27/12 B ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 612A

Fターム (10件)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-213332   出願人：セイコーエプソン株式会社