薄膜装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-213332
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031778
出願日： 2001年07月13日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】剥離転写技術を用いて、半導体装置の裏面から新たな素子を接続可能な半導体装置を提供する。【解決手段】1の基板(1)に形成した素子形成層(3)を剥離して他の基板(5)に転写して薄膜装置を製造する方法において、転写によって反転した素子形成層(3)の露出面に接続孔(37)を開口して内部の素子と接続できるようにし、該露出面に新たな素子(38)を形成する。それにより、1回の剥離・転写による製造工程によっても素子形成層とその外部との配線、電極、薄膜素子などの接続を容易に確保可能とする。

請求項（抜粋）：

基礎基板に形成した薄膜素子を転写基板に転写する薄膜装置の製造方法であって、前記基礎基板上に、所要のエネルギ付与によって剥離する特性を持つ分離層を形成する工程と、前記分離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する工程と、前記被転写層の一面に接着層を介して転写基板を接合する工程と、前記分離層に前記エネルギを付与して剥離を生ぜしめ、前記被転写層を前記転写基板に転写する工程と、前記転写基板に転写されて露出した前記被転写層の他面に、前記薄膜素子と接続するための露出穴を開口する工程と、前記被転写層の他面側に前記露出穴を介して前記薄膜素子に接続される新たな薄膜素子を形成する工程と、を含む薄膜装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/12 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , G09F 9/35 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H05B 33/02

FI (7件)：

H01L 27/12 B , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , G09F 9/35 , H05B 33/02 , H01L 29/78 627 D

Fターム (58件)：

2H092GA00 , 2H092GA55 , 2H092JA01 , 2H092JA24 , 2H092KA05 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA10 , 2H092MA16 , 2H092MA30 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 3K007AB18 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA29 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094GB10 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110EE09 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL07 , 5F110HL08 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110QQ03 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19 , 5F110QQ30

引用特許：

審査官引用 (9件)

剥離方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-300371 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平1-181570
特開平1-181570

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