特許

J-GLOBAL ID：200903080118588354

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者： 坂井 健志 ,  堀田 勝彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140158
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340221
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD法による成膜処理において、下地に損傷を与えることなく、絶縁膜の剥離の問題を生じさせることなく、絶縁膜を被着する。【解決手段】 高密度プラズマCVD処理により絶縁膜10a, 10bを被着するのに先立って、絶縁膜9a, 9bを、下地に損傷や絶縁膜の剥離を生じさせない条件で高密度プラズマCVD処理により被着する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1絶縁膜をプラズマCVD法または高密度プラズマCVD法により被着する工程と、前記第1絶縁膜の被着工程後の半導体基板上に第2絶縁膜をプラズマCVD法または高密度プラズマCVD法により被着する工程とを有し、前記第1絶縁膜の被着工程においては、前記第1絶縁膜の剥離および下地の損傷が生じないような条件で第1絶縁膜を被着することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 N

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平3-280539
  
• 特開平3-024268
  
• 特開平3-120825
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-168991   出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平3-280539
  
• 特開平3-280539
  
• 特開平3-024268
  
• 特開平3-024268