特許

J-GLOBAL ID：200903080132914337

磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びこれを用いた磁気再生装置

発明者： 青島 賢一 ,  野間 賢二 ,  伊藤 順一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-247058
公開番号（公開出願番号）：特開2001-229515
出願日： 2000年08月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子の両端側でのリーク電流の問題がなく、さらに磁気抵抗効果素子に対して安定的に十分な縦バイアス磁界を印加することが可能なCPPタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の上下それぞれで接する導電性材料で形成された上部ギャップ部材及び下部ギャップ部材と、上記上部ギャップ部材及び下部ギャップ部材のそれぞれに上記磁気抵抗効果素子側とは反体側で接する、導電性材料で形成された上部シールド部材及び下部シールド部材と、上記磁気抵抗効果素子の左右両端部側に、該磁気抵抗効果素子に縦バイアス磁界を印加するための絶縁性のバイアス印加層とを有する、磁気抵抗効果型磁気ヘッドである。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の上下それぞれで接する導電性材料で形成された上部ギャップ部材及び下部ギャップ部材と、上記上部ギャップ部材及び下部ギャップ部材のそれぞれに上記磁気抵抗効果素子側とは反体側で接する、導電性材料で形成された上部シールド部材及び下部シールド部材と、上記磁気抵抗効果素子の左右両端部側に、該磁気抵抗効果素子に縦バイアス磁界を印加するための絶縁性のバイアス印加層とを有する、磁気抵抗効果型磁気ヘッド。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

Fターム (15件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD54 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034CA08 ,  5E049AB03 ,  5E049AB09 ,  5E049AB10 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049CC08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-264464   出願人：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果型ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-269622   出願人：株式会社日立製作所