特許

J-GLOBAL ID：200903080143893889

半導体装置の製造方法

発明者： 松谷 弘康
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-144845
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317817
出願日： 2006年05月25日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

【課題】先に形成された下層配線に熱的ダメージを与えることなく、エッチング加工後の低誘電率膜に結合した水分やエッチングガス成分を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に形成した有機絶縁膜3および無機絶縁膜4にエッチング加工を施して配線溝5aを形成した後、エッチング加工によって絶縁膜3,4の表面に結合したダメージ成分を電子線EB照射または紫外線UV照射によって除去する。電子線EBまたは紫外線UVの照射は、不活性な雰囲気中で半導体基板を加熱した状態で行われる。カーボン系ガスまたはシラン系ガスなどの修復ガスGを添加した雰囲気中で行われる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に形成した絶縁膜に加工処理を施した後、当該加工処理によって前記絶縁膜の表面層に結合したダメージ成分を電子線照射または紫外線照射によって除去する工程を行う ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (1件)：

H01L21/90 J

Fターム (33件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX14 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-198600   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ