特許
J-GLOBAL ID：200903080148552400
素子分離膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163483
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031810
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 バーズビークの縮退化を防止し、Vthの低下を防止でき、しかも平坦性が向上した素子分離膜の形成方法を提供する。【構成】 シリコン基板21にLOCOS酸化膜26を形成し、SiN膜23等を除去した後、HFでLOCOS酸化膜26を平坦にし、その後、CMP研磨を行ってシリコン基板21とLOCOS酸化膜26の高さを等しくする。これにより、シリコン基板21の肩部が突出しなようにでき、電界集中の発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板にLOCOS酸化膜を形成した後、該LOCOS酸化膜を平坦化し、CMP研磨によって半導体基板とLOCOS酸化膜との高さが略同一となるようにすることを特徴とする素子分離膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/762
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 D
