特許
J-GLOBAL ID：200903080162129553
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183941
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036242
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】低電圧で動作する低閾値電圧論理回路の一層の高速化を図ると共に、待機時の消費電流が小さい半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】低閾値電圧の電界効果トランジスタから成る回路と、高閾値電圧の電界効果トランジスタから成る回路とが電源線間で直列構成を備える半導体集積回路装置において、低閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さは高閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜より薄いこと、もしくは、低閾値電圧電界効果トランジスタのゲート長は高閾値電圧電界効果トランジスタのゲート長より短いこと、もしくは、低閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さは高閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜より薄く、低閾値電圧電界効果トランジスタのゲート長は高閾値電圧電界効果トランジスタのゲート長より短いことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
低閾値電圧の電界効果トランジスタからなる低閾値電圧論理回路と、高閾値電圧の電界効果トランジスタからなる高閾値電圧回路とが電源線間に直列に接続された構成を有する半導体集積回路装置において、上記低閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、上記高閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さより薄いことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 29/78
H01L 27/08 102 C
, H01L 27/08 321 D
, H01L 29/78 301 C
