特許

J-GLOBAL ID：200903080163507586

半導体装置の製造方法

発明者： 村上 義樹 ,  徳舛 弘幸 ,  橋本 伸 ,  縄舟 秀美
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  縄舟 秀美
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195312
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031095
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 ガスの発生なく均一性に優れたメッキ方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板10上に第1の絶縁膜11となるSiO2が1μm形成されている。第1の絶縁膜中には銅の埋め込み配線が形成されている。この第1の絶縁膜11上には第2の絶縁膜12となるSiO2が2μm形成されている。この第2の絶縁膜12にコンタクト直径0.5μmのホール13が形成されている。コンタクトホール13を有するシリコン基板100をメッキ浴へ浸せきする。メッキ溶中の銅イオンCu2+が還元されて、銅Cuになりコンタクトホール中に銅が埋め込まれていく。2価の銅イオンが1価の銅イオンとなり、さらにコバルトを用いた還元により、1価の銅イオンを銅にまで還元している。この方法によれば、従来のような水素ガスの発生はなく、微細なコンタクトホールであっても均質に銅を埋め込むことができる。

請求項（抜粋）：

無電解メッキにより、溝に銅を形成する方法であって、メッキ浴には1価の銅イオンと、前記1価の銅イオンを銅に還元する還元剤とを有しており、前記1価の銅イオンが銅に還元されることにより前記溝中に銅を形成する工程を有するメッキ方法。

IPC (3件)：

H01L 21/288 ,  C23C 18/40 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/288 M ,  C23C 18/40 ,  H01L 21/90 A

Fターム (25件)：

4K022BA08 ,  4K022CA06 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K022DB07 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104DD06 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  4M104DD79 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH13 ,  5F033AA04 ,  5F033AA05 ,  5F033AA29 ,  5F033AA64 ,  5F033AA73 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033BA38 ,  5F033DA04 ,  5F033DA07 ,  5F033DA13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置用リードフレーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-213579   出願人：日立電線株式会社, 株式会社日立製作所
• 特開昭53-111372
  
• 特開昭50-085528