特許

J-GLOBAL ID：200903080184697458

半導体装置の製造方法

発明者： 小野 篤樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241796
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077429
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 微細デバイスに対応した浅いポケットを製造する。【解決手段】 ダミーゲート電極40を用いてソースドレイン領域7を形成した後にダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、ダミーゲート電極40を除去した後に、ポケット構造領域52を形成するイオン注入を、ダミーゲート電極があった溝に対してステップ注入による角度注入521によって行う。

請求項（抜粋）：

ダミーゲート電極を用いてソースドレイン領域を形成した後に該ダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記ダミーゲート電極を除去した後に、ポケット構造領域を形成するイオン注入を、前記ダミーゲート電極があった溝に対してステップ注入による角度注入によって行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/265 604 V

Fターム (11件)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GR16 ,  5F102HA04 ,  5F102HC08 ,  5F102HC15 ,  5F102HC18 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-356493   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-080827   出願人：株式会社東芝