特許
J-GLOBAL ID：200903080197704674
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-286831
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126487
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 フラッシュメモリやEEPROMなどの不揮発性半導体メモリに、ドレイン電流検知型自動検証書込回路を用い、書込時の正確なしきい値制御を高速に行い、さらに、メモリセルの劣化を防止する。【解決手段】 電気的消去及び書込可能な不揮発性の半導体素子であるメモリセルをマトリクス状に配列したメモリセレアレイ10と、予め定めた書込電圧VPGを選択メモリセル11に対し供給する書込電圧発生回路と、選択メモリセル11の書込動作中に選択メモリセル11のドレインからソースに流れるドレイン電流と参照電流発生回路20、21、22に発生した参照電流とを比較する比較器14とにより構成され、比較器14の出力結果の信号F1、F2、F3を用いて書込電圧発生回路において出力する書込電圧VPGのレベルを変化させる。
請求項（抜粋）：
電気的消去及び書込可能な不揮発性の半導体素子であるメモリセルをマトリクス状に配列したメモリセレアレイと、アドレス信号の供給に応答して所定のメモリセルを選択するアドレス選択回路と、予め定めた書込電圧を選択メモリセルに供給する書込電圧発生回路と、選択メモリセルの書込動作中に選択メモリセルのドレインからソースに流れるドレイン電流と参照電流発生回路で発生した参照電流とを比較する比較回路とを備える不揮発性メモリであって、前記比較回路の出力信号を用い、前記書込電圧発生回路に発生する書込電圧の値を変化させることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 611 E
, G11C 17/00 634 F
