特許

J-GLOBAL ID：200903080206315406

半導体及び半導体基板表面の酸化膜の形成方法

発明者： 小林 光 ,  米田 健司 ,  名村 高
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社 ,  小林 光
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199232
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050701
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板1表面に酸化膜6と金属薄膜7とを少なくとも含む半導体であって、前記金属薄膜は厚さ0.5〜30nmの範囲の酸化触媒機能を有する金属であり、前記酸化膜は前記酸化触媒機能を有する金属によって形成された膜を含む厚さ1〜20nmの範囲の膜とすることにより、高温加熱を用いずに半導体基板の表面に高品質の酸化膜を制御性よく形成するとともに、金属配線以後にゲート酸化膜を形成できる半導体を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に厚さ0.1〜2.5nmの範囲の第1酸化膜5を形成し、次いで第1酸化膜5上に酸化触媒機能を有する金属薄膜(例えば白金膜)6を蒸着法により厚さ0.5〜30nmの範囲で形成し、しかる後25〜600°Cの温度でかつ酸化雰囲気中で熱処理を行って第2酸化膜7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に酸化膜と金属薄膜とをこの順番に含む半導体であって、前記金属薄膜は厚さ0.5〜30nmの範囲の酸化触媒機能を有する金属であり、かつ前記酸化膜は前記酸化触媒機能を有する金属によって形成された膜を含む厚さ1〜20nmの範囲の膜であることを特徴とする半導体。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 U ,  H01L 21/31 B ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特許第2937817号