特許

J-GLOBAL ID：200903080210358837

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 松川 尚弘 ,  今宮 賢一 ,  渡辺 寿治 ,  松井 法晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-081617
公開番号（公開出願番号）：特開平7-287989
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】この発明の目的は、書き込み後の閾値電圧の分布を狭くし、過書き込みを防止することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】制御回路21はメモリセルアレイ14の所望のメモリセルにデータを書き込んだ後、データを書き込んだメモリセルの閾値電圧をベリファイする。この結果、閾値電圧が電源電圧より高いメモリセルが検出された場合、消去電圧発生回路20はデータを書き込んだメモリセルに負の消去電圧-Vppを短時間供給し、閾値電圧を若干下げる。したがって、過書き込みを解消して閾値電圧の分布を狭めることができる。

請求項（抜粋）：

制御ゲート及び浮遊ゲートを有する複数のメモリセルがマトリクス状に配置され、1つのワード線に複数のメモリセルの制御ゲートが接続されたメモリセルアレイと、前記複数のメモリセルのうち、同時に選択された複数のメモリセルの浮遊ゲートにデータを書き込む書き込み手段と、前記データを書き込んだメモリセルに対して消去電圧を短時間供給し、メモリセルの閾値電圧を若干低下させる消去手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 510 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電気的消去可能でプログラム可能な読出し専用メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-216950   出願人：三星電子株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置の消去方法、消去機能を備えた不揮発性半導体記憶装置及び書込装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-148169   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-223097
  
• 特開平3-295097