特許

J-GLOBAL ID：200903080245654471

エラー許容データのための非揮発性メモリデバイス

発明者： リン ティエン レア
出願人/特許権者： マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-520921
公開番号（公開出願番号）：特表平10-511799
出願日： 1995年01月05日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】非揮発性メモリデバイス(10)は、読出し、消去、プログラム、及び検査制御論理を含む。状態レジスタ(38)が制御論理に結合され、検査動作中に決定された統計を格納する。この統計は、例えば、消去またはプログラム検査に合格しなかったメモリセルの数を表すか、またはデータのページまたはセクタを含むプログラムまたは消去動作に関するプログラム検査に合格しなかったか否かを順次バイトのしきい値数で表させることができる。欠陥アドレスも格納することができる。状態レジスタ(38)を使用すると、プログラム及び消去を再実行する回数を大幅に減少させることができ、実時間記憶システムに対してデバイスを応用することが可能になる。ユーザは、アレイ内においてどれ程多くのエラーが検出されたかの指示に頼ることができ、もし、しきい値よりも多くのエラーが検出されれば、データを破棄することができる。

請求項（抜粋）：

浮遊ゲートメモリセルのアレイと、 上記アレイのための読出し、消去、プログラム、及び検査制御論理と、 上記制御論理に結合され、複数のバイトを上記アレイにプログラムするプログラム動作についての検査動作中に決定された欠陥を特徴付ける欠陥情報を格納する状態レジスタと、 を備えていることを特徴とする非揮発性メモリデバイス。

IPC (2件)：

G11C 29/00 655 ,  G11C 16/02

FI (3件)：

G11C 29/00 655 M ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 612 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ファイル装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-274746   出願人：株式会社東芝
• 半導体メモリチップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-274738   出願人：株式会社東芝