特許
J-GLOBAL ID：200903080264825287
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145623
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334271
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザの組立段階でサージ電流による劣化、破壊の生じる虞れをコスト増を伴うことなくなくす。【構成】 半導体チップのレーザダイオードが形成された電流狭搾領域と別の領域に保護ダイオード、例えばツェナーダイオードを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体チップの一部に設けられた電流狭搾領域にレーザダイオードが形成され、上記半導体チップの他部に上記レーザダイオードをサージから保護する保護ダイオードが形成されたことを特徴とする半導体レーザ
IPC (2件)：
引用特許：
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