特許

J-GLOBAL ID：200903080266069668

シリコン単結晶インゴットの製造方法

発明者： 久保田 治
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-008965
公開番号（公開出願番号）：特開2001-199795
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：

【要約】【課題】CZ法により窒素をドーピングしたシリコン単結晶インゴットの引上げにおいて、OSFリングに起因するBMD密度のウェーハ面内における不均一性を解消するシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】ポリシリコンに窒素をドーピングしたシリコン融液からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その結晶中の窒素濃度は1×1013〜1.2×1015atoms/cm3であり、結晶育成中に結晶が体験する1100〜700°Cの温度領域の通過時間を200分以下となるようにし、OSFリングに起因するBMD密度のウェーハ面内における不均一性を解消することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。

請求項（抜粋）：

ポリシリコンに窒素をドーピングしたシリコン融液からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その結晶中の窒素濃度は1×1013〜1.2×1015atoms/cm3であり、結晶育成中に結晶が体験する1100〜700°Cの温度領域の通過時間を200分以下となるようにし、OSFリングに起因するBMD密度のウェーハ面内における不均一性を解消することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/04 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 15/04 ,  H01L 21/208 P

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH09 ,  4G077PA06 ,  4G077PA10 ,  5F053AA13 ,  5F053AA23 ,  5F053BB04 ,  5F053BB13 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053KK10 ,  5F053RR03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201762   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト