半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-133740
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320127
出願日： 2000年05月02日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】光出力と発振波長とを独立に制御することが可能な構造を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ10は、多波長でほぼ同じ強度の回折ピークを有する多波長回折グレーティング18を有する光学部品12と、光学部品12と光学的に結合された一端16、所定の反射率を有する他端36、一端16と他端36との間に設けられた光増幅部26およびマッハツェンダ型干渉部28を有する光学デバイス14と、を備え、光増幅部26は半導体活性層32を含み、マッハツェンダ型干渉部28は半導体活性層32に光学的に結合された光導波路34の屈折率を変えるための複数の電極38を有する。

請求項（抜粋）：

多波長でほぼ同じ強度の回折ピークを有する多波長回折グレーティングを有する光学部品と、前記光学部品と光学的に結合された一端、所定の反射率を有する他端、前記一端と前記他端との間に設けられた光増幅部およびマッハツェンダ型干渉部を有する光学デバイスと、を備え、前記光増幅部は半導体活性層を含み、前記マッハツェンダ型干渉部は前記半導体活性層に光学的に結合された光導波路の屈折率を変えるための複数の電極を有する、半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/14 , G02F 1/025 , H01S 5/50 630

FI (3件)：

H01S 5/14 , G02F 1/025 , H01S 5/50 630

Fターム (19件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079DA16 , 2H079EA05 , 2H079EA07 , 2H079EA08 , 2H079EB04 , 2H079GA01 , 2H079KA11 , 2H079KA18 , 5F073AA83 , 5F073AB12 , 5F073AB21 , 5F073AB25 , 5F073AB28 , 5F073CA12 , 5F073DA25 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

光周波数変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-324215 出願人：日本電信電話株式会社
レ-ザ光の発生方法及び同調レ-ザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-373098 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-354213 出願人：株式会社東芝

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