半導体装置、電子機器、半導体装置の作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-017033
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237586
出願日： 2006年01月26日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】節を有する形状の導電層を、均一な間隔をもって隣接して形成する。隣接する導電層において、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、導電層同士の線幅の最大個所(節の最大値)同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接して設けることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の線幅を有する第1の配線と、複数の線幅を有する第2の配線とを有し、前記第1の配線及び前記第2の配線の側端部はうねる形状を有し、前記第1の配線及び前記第2の配線は、中心軸に対して線対称であり、前記第1の配線と前記第2の配線との間隔は一定であることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/320 , H01L 21/288 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , B05D 1/26 , B05D 7/00

FI (8件)：

H01L21/88 B , H01L21/288 Z , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L29/78 612D , B05D1/26 Z , B05D7/00 H , H01L29/78 616T

Fターム (173件)：

4D075AC07 , 4D075BB61Y , 4D075CA22 , 4D075CA35 , 4D075CA47 , 4D075DA06 , 4D075DB01 , 4D075DB13 , 4D075DC21 , 4D075DC24 , 4D075EA10 , 4D075EB22 , 4D075EB32 , 4D075EB33 , 4D075EB39 , 4D075EB42 , 4D075EC10 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA06 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104FF08 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5F033GG00 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH38 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM19 , 5F033MM21 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ34 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ85 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG55 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK41 , 5F110HM04 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-052460 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (1件)

膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-323701 出願人：セイコーエプソン株式会社

前のページに戻る