特許
J-GLOBAL ID:200903080334612120

フリップチップの実装構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-097643
公開番号(公開出願番号):特開平10-289965
出願日: 1997年04月15日
公開日(公表日): 1998年10月27日
要約:
【要約】【課題】 バンプピッチを300μm以下に微細化した場合でも、補強用樹脂の注入性を良好にする。【解決手段】 バンプピッチが300μmでチップサイズが10mm□のフリップチップ4をセラミック多層基板1上に実装する場合に、注入口間隔hを40μm以上にした。注入口間隔をそのような大きさにすることにより、フリップチップ実装部の中央部にボイドを発生させることなく補強用樹脂8を良好に注入することができる。
請求項(抜粋):
フリップチップ(4)に形成された複数のバンプ電極(5)とセラミック多層基板(1)上に形成された複数の導体ランド(2)とをそれぞれ電気的な接続部(7)により固定し、前記フリップチップ(4)と前記セラミック多層基板(1)の間に補強用樹脂(8)を注入してなるフリップチップの実装構造において、前記バンプ電極(5)は、300μm以下のピッチで前記フリップチップの少なくとも下面外周部に形成されており、前記補強用樹脂(8)を注入するための前記フリップチップ(4)と前記セラミック多層基板(1)の間の注入口間隔(h)が40μm以上になっていることを特徴とするフリップチップの実装構造。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 301
FI (2件):
H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 301 N
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 半導体装置の製法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-047566   出願人:日東電工株式会社

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